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NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。

NandFlash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!

对比Parallel NorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，低成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用 NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。

厂家推荐MTFC64GAKAEYF，4MIT，购买好的MTFC64GAKAEYF，4M IT选择凯特瑞科技， 凯特瑞科技真抓实干，百折不挠，打造，矢志不移。凭借对市场的灵敏嗅觉以及高质量的产品，致力为工业设备工厂提供更丰富、更、更完善的MTFC64GAKAEYF-4MIT和服务。系统规范的服务和稳健的经营模式，使公司在集成电路IC行业领域中占有的地位。如果您对本公司的产品有兴趣的，欢迎您莅临本公司参观，希望与您达成合作，实现共赢。公司地址：翻身路117号富源商贸中心D座