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NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。

NandFlash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!

对比Parallel NorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，低成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用 NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。

作为在集成电路IC里抹黑滚打多年的有限责任公司，凯特瑞科技一直是以诚实守信、以客户为中心的态度在经营着公司，公司本着“勇于创新、精益求精”的产品原则经营MTFC64GAKAEYF-4MIT。广东;广东东莞南城区;四川宜宾、乐山;北京;山东;江苏;江西;吉林;湖北;福建;湖南等地区的客户对我司一直大力支持，我司也抱着感恩的心态在为客户服务。客户对我司的信任是我司能够在集成电路IC里坚持这么多年的主要力量。

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